КРЕМЕР Герберт

американский физик немецкого происхождения. В 1947 г. поступил в Йенский университет. В 1948 г. бежал от репрессий в Западный Берлин, и с помощью А. Кенига и В. Паули поступил в Геттингенский университет. С 1952 г. работал в Центральной лаборатории телекоммуникаций Почтовой службы Германии. В настоящее время работает в Университете штата Калифорния в Санта-Барбара. Изучал взаимодействие двух периодических потенциалов на границе двух сред с разными электрическими свойствами. В 1954 г. он опубликовал статью, содержащую самые первые соображения о биполярных транзисторах на гетероструктурах, и в том же году был приглашен на работу в телерадиокомпанию RCA в Принстоне (США). Ввел представление о квазиэлектрических полях, которое считает фундаментальным принципом разработки гетероструктур. В 1963 г. предложил защитить гетеропереход другими полупроводниковыми структурами с более широкой запрещенной зоной для получения непрерывную инверсную заселенность при комнатной температуре. В 1968 г. он перешел в университет штата Колорадо и 1970-е гг. посвятил изучению т. н. квантовых стенок – гетероструктур со специально разработанными запрещенными зонами. Однако в конце 1970-х гг. он вернулся к полупроводниковым приборам на гетероструктурах. В настоящее время его научные интересы сосредоточены на «сверхгетероструктурах»: он участвует в разработке полупроводников, являющихся токоподводами для сверхпроводниковых электродов. В 1973 г. был удостоен Эберсовской премии Американского института инженеров-электриков (IEEE), в 1982 г. – Велькеровской медали Международного симпозиума по Gaas, в 1986 г. – премии Мортона IEEE, в 1994 г. – Гумбольдтовской премии и в 2000 г. – Нобелевской премии по физике – совместно с Ж. А. Алферовым и Дж. Килби (США) – «за достижения в электронике».