ГУДДЕН Бернхард

немецкий физик-экспериментатор. Окончил Геттингенский университет, где в 1919 г. получил степень доктора философии и работал (с 1924 г. – профессор). С 1926 г. – профессор Эрлангенского университета, с 1939 г. – директор Физического института Пражского университета. Работы в области физики твердого тела и физики полупроводников. Изучал фотоэлектрические явления и проводимость в полупроводниках, фотоэлектрические процессы в алмазе, селене, сульфидах, галогенидах. С начал 20-х гг. совместно с Р. Полем начал систематические исследования фотопроводимости неметаллических кристаллов. Отделив первичный фототок в кристаллах от ряда вторичных процессов, они выяснили его безынерционность, пропорциональность силе света, возникновение насыщения при росте напряжения. В результате была разработана также методика изучения фотоэлектрических явлений, широко используемая в дальнейшем для специальных исследований полупроводников. В экспериментах с алмазами совместно с Р. Полем установил основные законы внутреннего фотоэффекта. В 1930 г. сделал вывод об особой роли примесей в проводимости полупроводников и выдвинул гипотезу, что последняя носит примесный характер. Хотя эта гипотеза и оказалась не совсем правильной, однако она сыграла существенную роль при создании первой теории электропроводимости полупроводников.