ГАНН Джон

английский физик (большую часть жизни работавший в США), открывший эффект Ганна, позволивший создать диод, также названный в его честь – дешевый источник микроволновых колебаний, не требующий вакуумных трубок.

Учился в Англии за исключением двух лет, проведенных в Солебурской школе  (Пенсильвания) во время войны. Он был студентом кэмбриджского Тринити-колледжа с 1945 по 1948 гг. Изучал естественные науки сдав вступительные экзамены на второй класс в 1946 г., трайпос на третий класс в 1947 г. и экзамен по механике на второй класс в 1948 г. получив в том же году степень бакалавра. Во время учебы в Кембридже служил в Королевском радарном подразделении в Малверне.

Первой полноценной работой было производство компьютеров в лондоской фирме «Elliott Brothers». В 1953 г. он вернулся в Королевское радарное подразделение в Малверн, заняв там должность государственного младшего научного сотрудника, где он занимался лавинной инжекцией, аккумуляции носителей тока и соответствующих областях экспериментальной физики полупроводников. Эмигрировал в Северную Америку, во время послевоенной «утечки мозгов». Сначала он обосновался в Канаде, в 1956 г. заняв должность Assistant professor в Университете Британской Колумбии. В 1959 г. переехал в США, получив место в IBM-мовском Исследовательском центре IBM им. Томаса Дж. Уотсона. Продолжал сотрудничать с IBM на протяжении всей своей карьеры, принимая участие в Комитете корпоративных технологий и в Исследовательской лаборатории. Вышел на пенсию в 1990 г.