российский физик, член-корреспондент РАН (1991) и академик АН Республики Тататрстан. Заслуженный деятель науки Республики Татарстан, заслуженный изобретатель Республики Татарстан. В 1960 г. окончил Казанский авиационный институт. В 1960-1966 гг. – инженер, старший инженер, заведующий лабораторией радиотехнического отдела в п/я 296 (Казань). В 1966-1992 гг. – заведующий лабораторией, заместитель директора по научной работе в Казанском физико-техническом институте Казанского научного центра РАН. В 1992-2006 гг. – главный ученый секретарь АН Республики Татарстан. Основные научные труды по радиационной физике твердого тела, полупроводниковой микроэлектронике и вычислительной технике. В 1974 г. открыл (в соавторстве с Е. И. Штырковым, М. М. Зариповым, М. Ф. Галяутдиновым, Р. М. Баязитовым) новое физическое явление импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел (полупроводников), которое приобрело известность в мире как «лазерный отжиг полупроводников». Разработал физические основы ионно-импульсной модификации материалов (полупроводников, металлов и диэлектриков). Его открытие легло в основу нового научного направления по модификации кристаллической структуры и фундаментальных свойств тел импульсными потоками корпускулярного и (или) электромагнитного излучения и стимулировало во многих научных центрах страны и мира проведение интенсивных исследований в рамках данного направления. Государственная премия СССР (1988).
Досье личности
ХАЙБУЛЛИН Ильдус Бариевич
Имя латиницей: Khajbullin Il`dus Barievich
Пол: мужской
Дата рождения: 11.10.1937
Место рождения: село Нурлаты, Зеленодольский район, Татарстан
Дата смерти: 23.02.2007 Возраст (69)
Знак зодиака: Весы
По восточному: Бык
Ключевые слова: академик, знание, изобретатель, инженер, наука, физик.
Anno: 1988
Ильдус Бариевич ХАЙБУЛЛИН
Ильдус Бариевич ХАЙБУЛЛИН в фотографиях:
- Большая энциклопедия Кирилла и Мефодия, 2006
- Ю. А. Храмов. Физики. - Киев, Наукова думка, 1977
- ru.wikipedia.org
- www.kfti.knc.ru
- www.mathnet.ru