Досье личности

Ценность: 4,158 (19)

Симпатия: 3,889 (18)

дата обновления - 2014-10-07

просмотров - 13

ИОФФЕ Абрам Федорович

Имя латиницей: Ioffe Abram Fedorovich

Пол: мужской

Дата рождения: 29.10.1880

Место рождения: Ромны, Полтавская губерния, Украина

Дата смерти: 14.10.1960 Возраст (79)

Место смерти: Ленинград, Россия

Знак зодиака: Скорпион

По восточному: Дракон

География: РОССИЯ, СССР.

Ключевые слова: академик, знание, наука, основатель, педагог, физик.

Anno: 1916

Абрам Федорович ИОФФЕ

российский физик, академик АН СССР (1920; член-корреспондент 1918), вице-президент АН СССР (1926-1929, 1942-1945), Герой Социалистического Труда (1955). Окончил Петербургский технологический институт (1902). В 1903-1906 гг. – практикант, ассистент в лаборатории В. Рентгена в Мюнхенском университете. В 1906 г. начал работать в Петербургском политехническом институте. В 1913-1948 гг. – профессор и в 1919-1948 гг. декан (с перерывами) физико-механического факультета института. В 1918 г. по инициативе Иоффе создается физико-технический отдел в Рентгенологическом и радиологическом институте (реорганизованный в 1923 г. в Ленинградский физико-технический институт), а в 1919 г. – физико-механический факультет в Политехническом институте. На базе этих центров физической науки в СССР в последующие годы была создана разветвленная сеть научно-исследовательских институтов физического профиля (физико-технические институты в Харькове, Днепропетровске, Свердловске, Томске, Институт химической физики, Электрофизический институт и др.). До 1951 г. был директором Ленинградского физико-технического института АН СССР, в 1952-1955 гг. – Лаборатории полупроводников АН СССР, с 1955 г. – Института полупроводников АН СССР (в 1932-1960 гг. – также директор Агрофизического института). Научные работы посвящены физике твердого тела и общим вопросам физики. Особенно значительный вклад им был сделан в физику и технику полупроводников. Уже в докторской диссертации (1905) проявил мастерство экспериментатора и решил важный в то время вопрос упругого последействия в кристаллах. В 1913 г. выполнил цикл работ по измерению заряда электрона при внешнем фотоэффекте и доказал статистический характер элементарного фотоэффекта. Экспериментально доказал (1916) существование ионной проводимости в кристаллах – прохождение ионов сквозь решетку ионного кристалла под действием поля. Классическими стали его исследования пластической деформации рентгенографическим методом. Изучая механические свойства кристаллов, обнаружил, что характер разрушения кристаллов при данной температуре определяется соотношением между пределом текучести и пределом прочности. Это открытие имело важное значение для техники. Объяснил реальную прочность кристаллов (1922). Первым выяснил вопрос о т. н. электрических аномалиях кварца, показав, что они связаны с образованием объемных зарядов внутри кристалла. Определил, что незначительные примеси сильно влияют на электропроводность диэлектриков, и разработал методы очистки кристаллов. Его работы с сотрудниками по изучению электрической прочности тонких слоев диэлектриков завершились созданием новых электротехнических материалов и разработкой методов устранения перенапряжений. В начале 30-х гг. его научные интересы сосредоточились в области физики полупроводников, где он с сотрудниками открыл ряд явлений, важных для технического применения. Исследовав ряд полупроводников, он обнаружил, что на их электрические свойства сильно влияют примеси, в частности было выяснено, что последние в широком диапазоне меняют проводимость и знак носителей тока. Сформулировал новую идею о природе полупроводниковых свойств большой группы интерметаллических сплавов – дальтонидов – и подробно изучил их. Благодаря этому был открыт путь к созданию полупроводниковых материалов, свойства которых можно изменять в широких пределах. Важной проблемой физики полупроводников, которой он также занимался, была проблема выпрямления. В конце 30-х гг. сформулировал представление о механизме выпрямления, которое в общих чертах и сегодня является общепринятым и в значительной мере способствовало успехам промышленного изготовления диодов. Большой вклад внес также в проблему применения термо- и фотоэлектрических свойств полупроводников для преобразования тепловой и световой энергии в электрическую. Разработал теорию термоэлектрогенераторов и термоэлектрических холодильников, выдвинул идею плазменного термоэлектричества. Еще накануне войны создал сернистоталлиевый фотоэлемент с к.п.д. более 1 %. Создал большую школу физиков, многие из которых сами стали основателями собственных школ (А. П. Александров, А. И. Алиханов, Л. А. Арцимович, П. Л. Капица, И. К. Кикоин, Г. В. Курдюмов, И. В. Курчатов, П. И. Лукирский, Н. Н. Семенов, Ю. Б. Харитон, Я. И. Френкель, А. К. Вальтер, А. Ф. Вальтер, Я. Г. Дорфман, А. И. Лейпунский, К. Д. Синельников, В. П. Жузе, А. Р. Регель, Л. С. Стильбанс и др.). Ленинская премия (1961, посмертно). Герой Социалистического Труда (1955). Государственная премия СССР (1942). Член многих академий наук и научных обществ. В 1924-1930 гг. – главный редактор «Журнала прикладной физики», в 1931-1938 гг. – «Журнала экспериментальной и теоретической физики», 1931-1959 гг. – «Журнала технической физики». Имя Иоффе присвоено Ленинградскому (Санкт-Петербургскому) физико-техническому институту АН СССР.